iDEAL与电力系统专家Richardson Electronics, Ltd.签署SuperQ MOSFET技术合作伙伴协议
继推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此举标志着自 25 多年前超级结技术以来，硅 MOSFET 架构的首次重大进步。
近日，iDEAL Semiconductor 是一家专注于实现突破性效率的无晶圆厂功率半导体公司，该公司宣布将与电力和射频专家 Richardson Electronics 合作。
根据该协议，iDEAL 将获得 Richardson Electronics 的设计团队和销售专家的支持，以扩展其基于公司新型专利、最先进 SuperQ 技术的超高效、高性能功率 MOSFET 的市场范围。
SuperQ 是本世纪硅技术的首次重大进步。它可将电阻降低高达 5.7 倍，并将开关损耗降低高达 2.1 倍，比领先竞争对手更优。这使功率工程师能够满足现代电力系统的需求，同时保持硅的可靠性、经济性和供应链稳健性。
该协议是在 iDEAL 推出首批基于 SuperQ 的产品（一系列 150 V MOSFET）以及 200V MOSFET 系列样品之后签署的。这些产品提供领先的品质因数 (FOM)，包括业界最低的电阻、开关电荷 (QSW) 和输出电容能量 (EOSS)，现已立即可用。
iDEAL 的初始器件针对硬开关、电机控制和同步整流应用，包括 AI 服务器、USB 电力传输、电机驱动以及 AC/DC 和 DC/DC 转换。
iDEAL Semiconductor 首席执行官兼联合创始人 Mark Granahan 表示：“硅功率半导体的创新已放缓，整个行业的大部分注意力转向了替代材料。SuperQ 证明了硅仍有空间远超人们想象的极限。我们很高兴与 Richardson Electronics 合作 – 他们在电力电子领域的深厚专业知识使他们成为理想的合作伙伴，将 SuperQ 的颠覆性优势带给全球更多客户。”
Richardson Electronics 电力与微波技术执行副总裁 Greg Peloquin 表示：“SuperQ 结构标志着电力领域的重大突破，我们很高兴能代表 iDEAL。作为电力专家，Richardson 的团队处于独特位置，能够帮助功率工程师满足对他们提出的日益严格的要求，而 SuperQ 将成为解决他们挑战的关键组成部分。”
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